Samsung vyvinul prvú 8 Gb mobilnú pamäť DRAM LPDDR4

Spoločnosť Samsung predstavila prvú 8Gb mobilnú pamäť DRAM s nízkou spotrebou energie LPDDR4 (low power double data rate 4). Vďaka svojim vlastnostiam, ako je vyššia hustota pamäte, vysoký výkon a energetická úspornosť, umožnia mobilné pamäte DRAM LPDDR4 koncovým používateľom využívať pokročilé aplikácie rýchlejšie a plynulejšie a takisto si vychutnať vyššie rozlíšenie displeja s menšou spotrebou batérie. Nové mobilné pamäte sa vyrábajú 20 nm výrobnou technológiou a na jednom čipe ponúkajú kapacitu 1 GB, čo je momentálne najväčšia hustota pamätí DRAM. So štyrmi čipmi, každý s kapacitou 8 Gb, poskytne jedno puzdro 4 GB LPDDR4, teda najvyššiu dostupnú úroveň výkonu. Okrem toho LPDDR4 používa nízkonapäťové rozhranie Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O, ktoré Samsung pôvodne navrhol pre JEDEC. Nové čipy dosahujú prenosovú rýchlosť až 3 200 Mb/s, čo je dvojnásobok rýchlosti súčasne vyrábaných DRAM LPDDR3. Zároveň však spotrebuje približne o 40 % menej energie pri napätí 1, ...