Ultranízkoenergetické tranzistory by mohli fungovať aj roky bez batérie. Využívajú Schottkyho bariéru
Nová technológia navrhnutá inžiniermi z Cambridgeskej univerzity by umožnila zariadeniam fungovať celé mesiace alebo dokonca aj roky bez batérie.
Nové ultranízkoenergetické tranzistory by zbierali energiu zo svojho okolia a pretekajúcim prúdom by mohli pokrývať svoje energetické nároky. Boli by ideálne pre zariadenia z oblasti internetu vecí, ako aj nositeľnú a implantovateľnú elektroniku. Využívali by totiž elektrinu unikajúcu v mieste bez elektrostatického náboja, kde sa spájajú kovové a polovodičové komponenty tranzistora, nazývanom aj Schottkyho potenciálová bariéra, ktorá má usmerňujúci účinok na elektrický prúd. Zvyčajne ide o nežiaducu charakteristiku všetkých tranzistorov.
Nový dizajn by obišiel jednej z hlavných problémov, ktoré bránia rozvoju ultranízkoenergetických tranzistorov – možnosť ich výroby vo veľmi malých rozmeroch. S postupným zmenšovaním tranzistorov totiž ich dve elektródy začnú navzájom ovplyvňovať svoje správanie, čo vedie k zlyhaniu funkcie. Zmenou konštrukc ...
Článok je uzamknutý
Prihlásiť pomocou členstva NEXTECH
Zobrazit Galériu
Článok je uzamknutý
Pokračovanie článku patrí k prémiovému obsahu pre predplatiteľov. S digitálnym predplatným už od 10 € získate neobmedzený prístup k uzamknutému obsahu na celý rok. Objednať si ho môžete TU. Ak ho už máte prihláste sa TU
Prihlásiť pomocou členstva NEXTECH