HP a SanDisk spolu vyvíjajú náhradu flash pamätí založenú na memristoroch a ReRAM

V júli spoločnosti Intel a Micron oznámili, že vytvorili nový typ pamäte, ktorá má 1000-krát vyšší výkon a odolnosť ako NAND flash a je 10-krát hustejšia ako DRAM. Pamäte 3D XPoint, ohlásené spoločnosťami Intel a Micron, ešte nie sú na svete, ale HP a SanDisk už uzavreli partnerstvo s cieľom vyvinúť konkurenčnú technológiu. Zatiaľ majú tieto pamäte pracovný názov storage class memory (SCM).Tlačová správa HP a SanDisku opisuje niečo veľmi podobné 3D XPointu: „Táto technológia bude podľa očakávania 1000-krát rýchlejšia ako flash pamäte, ponúkne až 1000-krát väčšiu výdrž než tieto pamäte a prinesie aj značné zlepšenia v oblasti nákladov, spotreby, hustoty a stálosti oproti technológii DRAM." Pamäte SCM by mali byť nasadené v serverových uzloch s kapacitou v rádoch desiatok terabajtov a môžu byť použité v aplikáciách, ako sú in-memory databázy, spracovanie analytických údajov v reálnom čase, transakčné výpočty a high-performance computing.Hoci pamäťová technológi ...