MeRAM: Tisícnásobne energeticky efektívnejšia pamäť

Vďaka využitiu elektrického napätia namiesto tečúceho elektrického prúdu sa vedcom z Kalifornskej univerzity v Los Angeles (UCLA) podarilo významne zlepšiť ultrarýchle a vysokokapacitné pamäte známe ako magnetorezistívne pamäte s ľubovoľným prístupom (Magnetoresistive Random Access Memory) MRAM. Súčasné pamäte MRAM sú založené na technológii Spin-Transfer Torque (STT-MRAM). Využívajú nielen elektrické, ale aj magnetické vlastnosti elektrónov, pracujú teda nielen s nábojom elektrónu, ale aj spinom. Na zápis informácií používajú elektrický prúd, čo znamená, že pri tejto operácii generujú určité množstvo tepla. To je limitujúci faktor týchto pamätí. Princíp zápisu obmedzuje aj hodnotu maximálnej hustoty, s akou možno dáta do MRAM zapisovať. Vedci preto vytvorili pamäť s názvom Magnetoelectric Random Access Memory (MeRAM), kde elektrický prúd pri zápise nahradili napätím. Vďaka tejto úprave netreba pri zápise dát presúvať vodičmi značné množstvá elektrónov, čo znižuje produkciu tepla a r ...