Qualcomm Snapdragon 835: 5 minút nabíjania poskytne smartfónom 5 hodín prevádzky
Snapdragon 835 nahradí populárny Snapdragon 820/821, bude obsahovať najnovšiu technológiu firmy Quick Charge 4.0 a bude založený na 10 nm výrobnom procese FinFET spoločnosti Samsung. Výrobcovia zariadení tak budú mať viac využiteľného priestoru, čo umožní použitie väčších batérií alebo tenší dizajn telefónu.
Spoločnosť neposkytla o novinke veľa podrobností, uviedla iba to, že nová 10 nm výroba povedie k lepšiemu výkonu a zlepšeniu energetickej účinnosti.
Najnovšia generácia technológie rýchleho nabíjania poskytne väčšiu kompatibilitu s rôznymi zariadeniami, káblami a nabíjačkami, ako aj ďalšie bezpečnostné prvky. Podľa tvrdenia firmy má 5 minút nabíjania umožniť 5 hodín prevádzky zariadenia. Bude teda o 20 percent rýchlejšia a o 30 percent efektívnejšia ako Quick Charge 3.0.
Quick Charge 4.0 je kompatibilný s protokolmi USB Type- C vrátane USB Power Delivery. Prichádza takisto s lepšou komunikáciou medzi nabíjačkou a mobilom, novou ochranou proti prebíjaniu a prehriatiu. Mal by zv ...
Článok je uzamknutý
Prihlásiť pomocou členstva NEXTECH
Článok je uzamknutý
Pokračovanie článku patrí k prémiovému obsahu pre predplatiteľov. S digitálnym predplatným už od 10 € získate neobmedzený prístup k uzamknutému obsahu na celý rok. Objednať si ho môžete TU. Ak ho už máte prihláste sa TU
Prihlásiť pomocou členstva NEXTECH