Nová alternatíva DRAM: 4× vyššia hustota pri vyššej rýchlosti a nižšej spotrebe energie

Startup Unisantis Electronics, ktorého zakladateľom je Fujio Masuoka, vynálezca pamäte NAND, vyvinul Dynamic Flash Memory (DFM), volatilný typ pamäte, ktorý sľubuje štyrikrát vyššiu hustotu ako dynamická pamäť s náhodným prístupom (DRAM). Ďalšie jeho výhody sú vyšší výkon a nižšia spotreba energie. Pamäť DRAM je založená na poli nabíjacích buniek pozostávajúcich z jedného kondenzátora a jedného tranzistora na dátový bit. Kondenzátory nabíjajú tranzistory, keď sa do tejto bunky zaznamená 1, a vybíjajú sa, keď sa do bunky zaznamená 0. Polia sú usporiadané do vodorovných a zvislých riadkov. Každý stĺpec buniek pozostáva z dvoch bitových liniek + a -, ktoré sú pripojené k ich vlastným snímacím zosilňovačom, ktoré sa používajú na čítanie/zápis dát z/do buniek. {{BANNER|SIMPLE_BANNER_HOMEPAGE_3}} Postupom času sa výrobcovia DRAM zameriavali na zmenšovanie pamäťových buniek aplikáciou novej bunkovej štruktúry a procesných technológií v snahe zvýšiť kapacitu a výkon DRAM a znížiť spotrebu e ... Zobrazit Galériu