Vedci utkali bavlnené tranzistory

Medzinárodnému vedeckému tímu zloženému z vedcov z Francúzska, Talianska a USA sa podarilo z bavlnených vlákien vytvoriť pasívne zariadenie – rezistor, ako aj plnofunkčné aktívne zariadenia – tranzistory typu OECT (Organic Electro-Chemical Transistor) a OFET (Organic Field Effect Transistor). Všetky tieto súčasti elektrických obvodov potom úspešne votkali do bavlnenej tkaniny. Kľúčom k tomuto úspechu bolo použitie nanočastíc zlata, ktorými spolu s vodivým polymérom poly(3,4-etyléndioxytiofén) (PEDOT) vedci potiahli jednotlivé vlákna bavlny. Takto upravené vlákna majú až 1000-násobne vyššiu vodivosť oproti tým obyčajným, pričom sú mierne tvrdšie, ale elastickejšie. Vedci demonštrovali vysokú vodivosť takejto upravenej bavlny vytvorením jednoduchého obvodu, keď na jednej strane pripojili k vláknam batériu a na druhej strane diódu emitujúcu svetlo (LED). Najrealistickejšie využitie tohto objavu v blízkej budúcnosti bude jeho použitie na implementovanie rôznych typov senzorov umožňujúc ...