Samsung spustil výrobu 20 nm pamätí DDR3

Samsung informoval, že začal výrobu pamäťových čipov typu DDR3 s kapacitou 4 GB založenú na 20 nm výrobnej technológii. Má ísť údajne o najmodernejšiu technológiu pri týchto čipoch, ktoré sa v súčasnosti používajú vo väčšine serverov, PC a notebookov. Kórejský gigant pri výrobe využil imerznú litografiu s laserom na báze argónu a fluóru. V prípade pamätí typu DRAM, pri ktorých sa každá pamäťová bunka skladá z navzájom prepojeného kondenzátora a tranzistora, je ďalšia miniaturizácia oproti pamätiam typu NAND Flash, kde každá bunka obsahuje iba tranzistor, ťažšia. Na ďalšiu miniaturizáciu zložitejších pamäťových čipov typu DRAM musel Samsung upraviť technológie používané pri návrhu a výrobe pamäťových obvodov a prišiel s technológiou dvojitej expozície a upraveným postupom nanášania atómovej vrstvy. Nový postup vyvinutý spoločnosťou Samsung umožňuje produkovať pamäte DDR3 s použitím 20 nm výrobného procesu na existujúcich fotolitografických zariadeniach a dáva tak základ pre bu ...