Samsung spustil výrobu najmodernejších pamäťových čipov typu DDR3 s kapacitou 4 GB

Samsung Electronics Co., Ltd., popredná svetová spoločnosť v oblasti pamäťových technológií, začal výrobu najmodernejších pamäťových čipov typu DDR3 založenú na 20nm výrobnej technológii. Široké uplatnenie nájdu v mnohých smeroch IT odvetví. Samsung tak opäť o kúsok posunul hranice pri výrobe pamätí DRAM, a to vďaka imerznej litografii s laserom na báze argónu a fluóru, ktorá umožnila využiť najmodernejší 20nm výrobný proces pri produkcii pamäťových modulov DDR3 DRAM s kapacitou 4 GB. V prípade pamätí typu DRAM, u ktorých sa každá pamäťová bunka skladá z navzájom prepojeného kondenzátora a tranzistora, je ďalšia miniaturizácia oproti pamäti typu NAND Flash, kde každá bunka obsahuje iba tranzistor, ťažšia. Pre ďalšiu miniaturizáciu zložitejších pamäťových čipov typu DRAM musel Samsung upraviť technológie používané pri návrhu a výrobe pamäťových obvodov a prišiel s technológiou dvojitej expozície a upraveným postupom nanášania atómovej vrstvy. Nový postup vyvinutý spoločnosťou Samsung je ...